Mission : L'agent aura pour mission principale d'améliorer les performances des dispositifs à large bande interdite (WBG : Wide Band Gap ; diodes Schottky et transistors à haute mobilité électronique) et à ultra-large bande interdite (UWBG : Ultra-Wide Band Gap ; diodes de puissance), en se concentrant particulièrement sur l'optimisation des conditions de passivation. Il/elle mènera en particulier une étude approfondie de la passivation par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), en analysant les paramètres de dépôt, les précurseurs chimiques ainsi que l'impact du traitement chimique pré-dépôt et l'impact du traitement thermique post-dépôt. Afin d'évaluer et identifier le procédé de passivation optimal différentes caractérisations seront effectués, notamment des caractérisations électriques, et des mesures thermiques. En collaboration avec les équipes de recherche de l'IEMN et le personnel technique du pôle, le candidat recruté contribuera au développement, à la pérennisation et à la valorisation de procédés innovants dans les domaines phares du laboratoire : énergie, micro/nanoélectronique, MEMS/NEMS. Il/elle veillera également à la sécurité de l'environnement de travail, notamment dans le cadre de l'utilisation de gaz spéciaux et de précurseurs chimiques. Activités : - Dépôt des couches minces par PECVD, avec optimisation des paramètres de procédé. - Caractérisation physico-chimiques des couches déposés. - Caractérisation électrique et thermique des dispositifs pour évaluer les performances. - Optimisation des étapes de dépôt pour améliorer les performances des dispositifs de haute fréquence et puissance. - Analyse corrélée entre paramètres de dépôt, propriétés des matériaux et performances finales. - Rédaction de rapports et présentations régulières sur l'avancement des travaux.