Mission : La libération mécanique de dispositifs en nitrure III via le nitrure de bore hexagonal (h-BN) est une stratégie prometteuse pour l'intégration hétérogène. Afin d'adapter cette technologie aux applications industrielles, il est nécessaire de disposer de méthodes de transfert efficaces qui préservent les performances des dispositifs et permettent l'intégration de dispositifs sélectionnés. De telles avancées sont particulièrement pertinentes pour les applications émergentes, notamment les LED optogénétiques, les micro-écrans et les dispositifs optoélectroniques portables Activités : L'ingénieur d'études jouera un rôle central dans le travail analytique nécessaire pour atteindre les objectifs du projet. Ses tâches spécifiques seront les suivantes - Conception et exécution d'expériences : Développer et mettre en œuvre des stratégies DoE pour la croissance épitaxiale de nitrures III sur des substrats h-BN. - Analyse et optimisation des données : Appliquer la méthode RSM pour analyser les données expérimentales, identifier les tendances du processus et optimiser les paramètres de croissance. - Intégration de la base de données : Intégrer les résultats de la caractérisation dans une base de données des figures de mérite (FOM) ; s'assurer que les données sont formatées pour une utilisation future dans les modèles AI/ML. - Collaboration : Travailler en étroite collaboration avec des équipes interdisciplinaires, notamment des spécialistes des matériaux, des ingénieurs spécialisés dans les dispositifs et des spécialistes des données. - Rapports et diffusion : Préparer des rapports techniques, contribuer à des publications scientifiques et présenter des résultats lors de réunions internes et externes.