Mission : La personne recrutée aura pour mission d'assurer la réalisation de structure épitaxiées. Elle participera également à la maintenance et l'optimisation des équipements au sein de la plateforme NANOLYON site Ecully (~450m² en classe ISO7-ISO5). Elle participera aux projets de recherche de l'équipe Matériaux de l'INL. Elle formera et encadrera les utilisateurs. Activités : Les activités principales seront : Attaché(e) au pôle Epitaxie de la plateforme Nanolyon, ses principales missions seront les suivantes : • Assurer les opérations de fabrication des couches minces/hétérostructures de semiconducteurs III-V et d'oxydes par épitaxie par jets moléculaires (EJM) : croissance sur les équipements d'épitaxie et caractérisation en utilisant les différents outils de mesure disponibles à l'INL). • Assurer le suivi des procédés et de ses équipements et optimiser les processus. • Participer aux opérations de maintenance des équipements d'épitaxie et à leur mise à niveau. •Utiliser des procédés de technologies en salle blanche La personne recrutée travaillera dans le cadre du projet ANR Solbiopec, l'ingénieur devra fabriquer des photocathodes à base de semiconducteurs III-V GaAs/GaAsP/AlGaAs protégées de l'oxydation dans l'électrolyte par des couches minces cristallines de SrTiO3. Les hétérostructures III-V et le SrTiO3 seront fabriquées par EJM. L'un des enjeux sera, en interaction avec les partenaires du projet, d'optimiser le transfert des charges de l'électrolyte vers la photocathode en étudiant et en optimisant l'effet du dopage de l'hétérostructure III-V et du SrTiO3. La composition des alliages III-V sera également optimisée pour optimiser la structure de bande vis-à-vis de la réaction chimique dans l'électrolyte. Des étapes de technologie de base pourront également être réalisées (dépôts de contacts face arrière par exemple) pour caractériser les électrodes.