Lieu : Palaiseau, France Construisons ensemble un avenir de confiance Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d'activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cyber & Digital. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l'environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4,5 milliards d'euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l'innovation tels que l'IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 85 000 collaborateurs dans 65 pays. Nos engagements, vos avantages- Une réussite portée par notre excellence technologique, votre expérience et notre ambition partagée - Un package de rémunération attractif - Un développement des compétences en continu : parcours de formation, académies et communautés internes - Un environnement inclusif, bienveillant et respectant l'équilibre des collaborateurs - Un engagement sociétal et environnemental reconnu Votre quotidienThales Research&Technology, notre centre de recherche dans les domaines matériels, et CortAIx Labs, notre centre de recherche en IA et digital ont pour mission de proposer des innovations de ruptures, de maintenir et d'accroitre l'avance technologique et d'en assurer la compétitivité pour le groupe. Rejoignez le III-V Lab, un Groupement à Intérêt Economique (GIE) constitué par 3 membres : Thales, Nokia et le CEA-Leti. Au sein du programme GaN, vous contribuerez à des projets innovants centrés sur les transistors à nitrure de gallium (GaN HEMT), des composants clés pour les systèmes de télécommunications, de défense, de sécurité et du spatial. Ces technologies de pointe permettent de répondre aux enjeux de puissance et de performance dans les applications radiofréquences. Le programme GaN avec sa dizaine de collaborateurs est en charge des thématiques liées à l'utilisation des transistors à base de nitrure du gallium (GaN) pour les applications radiofréquences de puissance. Ces transistors sont dits « HEMT » pour High Electronic Mobility Transistor. Le programme GaN est organisé sur trois activités essentielles : conception & modélisation RF, modélisation physique & thermique et instrumentation & caractérisation. Afin de comprendre le comportement de ces composants, d'évaluer la qualité de leur fabrication et de prédire leur performance, des caractérisations électriques DC et RF sont systématiquement employées. Dans ce contexte, l'équipe caractérisation accompagne les développements technologiques et répond aux besoins de différents projets de recherche. Vous aurez pour missions : - Participer à la planification des campagnes de caractérisation : Vous participerez à la planification et à la réalisation de mesures électriques DC et RF sur des dispositifs GaN. Ces caractérisations sont essentielles pour valider la qualité de la fabrication technologique et la fiabilité des modèles physiques. - Optimiser et automatiser les bancs de mesure : Vous serez en charge de l'amélioration des bancs de mesure hyperfréquence existants, notamment pour leur automatisation, et du montage de nouveaux bancs spécifiques selon les besoins des projets. - Analyser et rapporter les résultats : Vous contribuerez à l'analyse des données issues des campagnes de mesure et à la rédaction de rapports techniques pour les projets en cours. - Maintenir l'environnement de travail : Vous veillerez à la bonne tenue des salles de laboratoire et à la disponibilité des équipements pour garantir des conditions de travail optimales. Notre site est reconnu par le label Employeur Pro-Vélo Argent ! Nous mettons ainsi à disposition un parking vélo, des douches, vestiaires et du matériel pour entretenir son vélo. Votre profilIngénieur caractérisation de composants RF hyperfréquence (H/F) Vous avez l'ambition de contribuer à des technologies de pointe dans un environnement dynamique et collaboratif ? Votre priorité est de mettre vos compétences en caractérisation RF et en analyse de données au service de projets inno