Mission : Le/La candidat(e) retenu(e) assistera le développement d'expériences d'holographie électronique in situ et operando au sein du groupe I3EM du CEMES-CNRS à Toulouse et en particulier sera en charge de la préparation d'échantillon par faisceau ionique focalisé (FIB). En effet, le groupe I3EM du CEMES-CNRS (Toulouse, France) développe depuis plus de 10 ans des expériences de microscopie électronique à transmission (TEM) in situ et operando dans le but de faire fonctionner des nanostructures et des nanodispositifs tout en mesurant les champs électriques, magnétiques et de déformation qui en résultent à l'échelle nanométrique. Nos travaux récents ont montré que ce type d'expérience produisent des résultats extrêmement intéressants [1,2,3]. Nous souhaitons poursuivre ces développements afin de comprendre le comportement d'une variété de dispositifs à l'échelle nanométrique tels que les nanocondensateurs, les transistors, les films minces ferroélectriques et les dispositifs. Le point clé de ces expériences difficiles est la préparation des échantillons : les dispositifs sont extraits en forme de lame mince par faisceau d'ions focalisés (FIB) et mis en contact avec des chips spécialement conçues pour des porte-objets in situ. Pour que les expériences réussissent, il faut pouvoir réaliser des zones d'échantillons suffisamment minces, d'une épaisseur uniforme et des couches de dommages superficiels minimes tout en maintenant les contacts électriques. La caractérisation électrique conventionnelle des dispositifs macroscopiques et des couches minces sera également importante pour comprendre le comportement. L'ingénieur(e) que nous souhaitons recruter au sein de l'équipe sera chargé de toutes les activités de préparation des échantillons. Il/elle participera également à la caractérisation électrique et structurelle de base effectuée en FIB et TEM de l'échantillon avant les expériences in-situ. Il/elle sera étroitement impliqué(e) dans la définition et l'optimisation des protocoles expérimentaux. Le contrat initial est de 12 mois et peut être prolongé jusqu'à 36 mois (3 ans). Date de début : dès que possible. [1] L. Zhang, F. Lorut, K. Gruel, M.J. Hÿtch, and C. Gatel, Nano Letters 24, 5913-5919 (2024). Measuring electrical resistivity at the nanoscale in phase-change materials. 10.1021/acs.nanolett.4c01462 [2] C. Gatel, R. Serra, K. Gruel, A. Masseboeuf, L. Chapuis, R. Cours, L. Zhang, B. Warot-Fonrose, and M. J. Hÿtch, Phys. Rev. Lett. 129, 137701 (2022). Extended charge layers in metal-oxide-semiconductor nanocapacitors revealed by operando electron holography. 10.1103/PhysRevLett.129.137701, hal-03787333 [3] M. Brodovoi, K. Gruel, A. Masseboeuf, L. Chapuis, M. Hÿtch, F. Lorut, and C. Gatel, Appl. Phys. Lett. 120, 233501 (2022). Mapping electric fields in real nanodevices by operando electron holography. 10.1063/5.0092019, hal-03752638 Activités : Les activités principales seront - préparation et contactage électrique des échantillons - mesures électriques et caractérisations initiales - participation aux expériences operando TEM - définition des protocoles