Mission : L'intégration de matériaux semi-conducteurs III-V sur une plateforme technologique Si constitue un défi majeur pour les prochaines années dans le domaine de la microélectronique. Les semi-conducteurs III-V offrent une mobilité électronique bien supérieure à celle du Si et du Ge, permettant d'atteindre des fréquences de coupure plus élevées pour les transistors RF. Leur bande interdite ajustable et leur capacité à former des hétérostructures offrent la possibilité de réaliser des fonctions optoélectroniques à hautes performances. Dans ce contexte, la mission consiste à étudier la croissance d'hétérostructures de semi-conducteurs III-V sur différents types de substrats, afin de réaliser des dispositifs optoélectroniques et microélectroniques. Une connaissance dans le domaine de l'évaluation de l'impact des filières d'intégration serait un atout, afin d'optimiser la chaîne de fabrication en salle blanche. Le(la) candidat(e) aura pour mission de mener les expériences de croissance et de caractérisation des hétérostructures, ainsi qu'une première évaluation des impacts. Activités : - Maîtrise en croissance et caractérisation de couches minces - Connaissance de procédés technologiques en salle blanche (dépôt, lithographie, gravure) - Maitrise des techniques de caractérisation AFM, MEB, Raman, PL,.. - Connaissance des méthodes d'évaluation d'impact - Analyse des résultats -