Mission : L'objectif pour la personne recrutée est l'étude des propriétés physique de deux oxydes potentiellement intéressants pour l'électronique du futur. Ga2O3, oxyde semiconducteur à grande bande interdite (~5 eV) facilement dopable pour obtenir un type n, quand NiO peut être de type p. La mission consiste en l'élaboration des couches épitaxiales, l'étude fondamentale et approfondie de leurs propriétés électroniques, principalement l'identification de défauts ponctuels et l'étude du mécanisme de conductivité électrique en relation avec d'autres propriétés physique. Activités : - Etudes physiques de films minces de Ga2O3 dopés et NiOx : - Préparation des contacts électriques (Ohmic/Schottky) : Photo-lithographie ; pulvérisation RF de métaux ; recuit thermique rapide - Caractérisations I-V en fonction de la température - Effet Hall, mesures de résistivité dans la gamme [2K-850K] - Photoconductivité ; mesures C-V - Transmittance/réflexion optique - Diffraction des rayons X (mesures de base) - Dépôt de matériaux diélectriques d'oxydes en couche mince par dépôt en phase vapeur (CVD) et par pulvérisation cathodique RF - Analyse/interprétation des données - Assister à la gestion de projets : préparation de rapports scientifiques et organisation de réunions. - Très forte implication dans la communication scientifique : réunions/conférences/publications du consortium - Formation et partage des connaissances avec les étudiants en doctorat et en master