Mission : Dans le cadre d'un projet financé par la région Hauts de France, l'IEMN vise à développer des photodétecteurs ultrarapides à haut courant de saturation de nouvelle génération, à pompage optique parallélisé, optimisés pour fonctionner avec des lasers de longueur d'ondes 1060nm ou 1550nm. Les enjeux de ce projet sont importants puisque ces composants ont aujourd'hui de nombreuses applications potentielles : télécommunications optiques mais aussi futurs systèmes de télécommunications sans fils en bande submillimétrique ou encore spectroscopie ultra large bande allant des fréquences millimétriques au moyen infrarouge. Activités : L'Ingénieur sera chargé de la conception, fabrication et caractérisation électro-optique des photodétecteurs. Pour ce faire, il devra : -Concevoir les structures semiconductrices à l'aide du logiciel de conception de composants à semiconducteur (SILVACO) -Faire la DAO des masques de lithographie. -Réaliser les étapes en environnement salle blanche (enduction résines, lithographie électronique/optique, métallisation, dépôts par PVD, gravure plasma). -Caractériser les échantillons en cours de fabrication (AFM, profilomètre, microscopie optique et électronique, caractérisation électrique). -Caractériser la réponse électro-optique des composants finaux (photoréponse, fréquence de coupure électrique) Pour mener à bien cette mission, l'ingénieur recruté s'appuiera sur l'expertise technologique de l'équipe et de l'ensemble des personnels de la salle blanche.