Mission : Les systèmes neuromorphiques sont très prometteurs pour réduire la consommation d'énergie et créer de nouvelles applications hors de portée des ordinateurs conventionnels. À ce jour, chaque neurone artificiel est composé de milliers de transistors. L'utilisation d'isolants de Mott, une classe de matériaux aux propriétés non linéaires fascinantes, pourrait réduire considérablement la complexité du circuit, en ramenant le nombre de composants par neurone et par synapse à un seul. Le projet vise à mettre au point une écriture de circuit accessible, en balayant une pointe conductrice polarisée à l'échelle nanométrique. Cela a déjà été démontré par microscopie à effet tunnel (STM), et pourrait également être réalisé en utilisant un microscope à force atomique équipé d'une pointe conductrice (C-AFM). Une bonne compréhension et un contrôle des transitions électro-induites dans les matériaux de Mott (cristaux de GaTa4Se8 ou TaS2, films de V2O3 ou TaSe2) seront d'abord développés. L'objectif du projet est la réalisation de circuits neuromorphiques monolithiques complets par impulsion électrique à la surface des matériaux de Mott. Un projet exploratoire sur les circuits supraconducteurs inscrits à la surface de GaTa4Se8 peut également être ciblé en fonction de l'expertise du candidat. La bourse est financée par le CPER IMITECH. Activités : L'activité sera adapté en fonction de l'expertise et des motivations du candidat ou de la candidate. Elle portera sur l'étude par microscopie en champ proche de la transition résistive par impulsion électrique dans les matériaux de Mott, et la réalisation de composants élémentaires de Mottronique.