Mission : Le(la) candidat(e) recruté(e) effectuera des procédés de fabrication en salle blanche et des expériences de caractérisation dans l'infrarouge de dispositif laser et détecteurs. Selon son profil elle participera également à leur conception grâce à des outils de modélisation électromagnétique de dispositifs photoniques. Elle participera aux réunions avec les partenaires internationaux et nationaux. Elle contribuera à la valorisation et la diffusion des résultats via des congrès de recherche internationaux, et la publications dans des revues à comité de lecture. Activités : L'Ingénieur de recherche (H/F) effectuera de premières études de conceptions et design de dispositifs pour la détection à incidence normale à la couche active sur substrat silicium. Des approches mettant en œuvre des effets de renforcement du champ optique par résonance électromagnétique seront exploitées dans des structures en cavité verticale Metal-semiconducteurs-Metal (MIM). De premiers démonstrateurs expérimentaux seront réalisés grâce aux moyens de micro-nano-Fabrication du C2N. Un deuxième volet portera sur l'intégration de tels détecteurs avec des sources laser en cavité de type microdisques, en anneaux et à cristaux photoniques. Un fort intérêt pour le GeSn se présente également pour la possibilité d'obtenir un alignement direct de la bande interdite, permettant ainsi d'obtenir un effet de gain optique dans un laser, chose impossible avec du Ge ou silicium ainsi qu'avec les alliages SiGe. L'équipe du C2N effectue depuis un certain nombre d'année des recherches en vue de réaliser des sources laser compatible avec la filière silicium en utilisant l'alliage du Ge avec Sn et l'ingénierie de contrainte afin optimiser la structure de bande interdite et les propriétés de gain optique. Cette technologie laser bas coût, n'est apparue que récemment (première publication en 20151 à des températures de fonctionnement inférieure à 100 K) grâce à l'utilisation d'alliage GeSn et à l'ingénierie de contrainte en tension. Lors d'un précédent projet soutenu par l'apport IPCEI-Nano 2022 en collaboration avec STMicroelectronics l'équipe du C2N a pu démontrer pour la première fois l'effet laser jusqu'à la température ambiante à 300K. Pour y parvenir une technologie de report spécifique de la couche active de GeSn sur isloant (GeSnOI) a été employée et sera également utilisée. De nouvelle perspectives sont aujourd'hui ouvertes avec le développement récents de structure à base de puits quantiques de GeSn qui seront exploitées dans ce projet.