Mission : L'ingénieur d'étude (H/F) participera au développement et à la caractérisation de la synthèse de couches minces de matériaux bidimensionnels (graphène, hBN) et de semiconducteurs III-V.. Il/elle aura également à charge la gestion des équipements dédiés à la synthèse. Activités : -Assurer le développement des procédés de croissance de filmes minces de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) par la mise au point des paramètres de croissance. -Assurer le développement d''hétérostructures de semiconducteur III-V par épitaxie par jets moléculaires (gaz d'électrons bidimensionnels de GaAlAs/GaAs). -Mettre au point des procédés de transfert des films minces sur substrats variés avec différentes approches (voie chimique, tampon…). -Mettre en œuvre les moyens de caractérisation adaptés au développement des procédés (spectroscopie Raman, microscopie optique, Microscopie Electronique à Balayage, mesures électriques par effet Hall…) -Appliquer les règles d'hygiène et de sécurité -Assurer la veille technologique -Rédiger les rapports et participer aux réunions d'avancement sur les projets de recherche en interaction avec les chercheurs ou les collaborateurs extérieurs au laboratoire. -Appliquer les règles d'hygiène et de sécurité.