Mission : L'objectif du poste est de pouvoir avoir un premier composant de puissance en Ga203 fabriqué dans le cadre du projet GOTEN permettant à la fois de le caractériser électriquement, physiquement et optiquement afin de pouvoir trouver les paramètres optimaux pour la simulation à base d'éléments finis de composants Ga203 et d'identifier, quantifier les défauts dans le matériau. Le Ga203 est un semiconducteur ultra grand gap. Il a les propriétés physiques qui permettent de fabriquer des composants haute tension et fort courant pour des domaines tels que le smart grid. L'INL travaille depuis quelques années sur la caractérisation physique de ce matériau. Aujourd'hui, la qualité de ce matériau nous permet d'entrevoir la fabrication de composants de puissance. Mixer les compétences acquises sur Ga203 à l'INL, la salle blanche de l'INL et les compétences sur les composants de puissance à AMPERE permet de proposer ce sujet de thèse original en France. En Europe, aux Etats-Unis, au Japon, des projets de recherche existent sur la réalisation de composants de puissance. Activités : Contributions originales attendues : - Fabrication diode Schottky pour mesures OBIC (Optical Beam Induced current). Programme de recherche et démarche scientifique proposée : - Recherche bibliographie sur la technologie des composants Ga203 - Réalisation d'une diode Schottky - Caractérisation électrique, DLTS, RAMAN, OBIC. - Optimisation de la simulation à base d'éléments finis de la diode Schottky. Objectifs de valorisation des travaux de recherche : - Rédaction d'articles dans des revues internationales, congrès internationaux et nationaux. En termes de brevet, en fonction des résultats obtenus, un brevet pourrait voir le jour.