Mission : L'objectif du poste d'assistant ingénieur est d'étudier de nouvelles structures de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base d'AlₓGa₁₋ₓN et de transistors à effet de champ en diamant, afin de comprendre leurs propriétés de transport électronique et les mécanismes de claquage. Pour atteindre ces objectifs, une étude des défauts électriquement actifs dans les couches actives des transistors ou dans le substrat sera menée à l'aide de techniques de courant induit par faisceau d'électrons (EBIC) et de temps de vol (ToF-EBIC) dans un microscope électronique à balayage. Les résultats expérimentaux permettront de mieux comprendre les mécanismes de transport impliqués dans les différents composants, en les comparant avec des mesures I-V, C-V et d'effet Hall. Activités : - Utilisation autonome d'un microscope électronique à balayage, - Réalisation autonome de mesures EBIC et ToF_EBIC, - Analyse et modélisation des résultats,