POSTE : Ingénieur·e-Chercheur·euse en Spintronique Applications Mram et Capteurs H/F DESCRIPTION : Situé à la charnière entre la science et la technologie, SPINTEC (SPINtronique et TEchnologie des Composants) est un des 10 services de l'IRIG et l'un des principaux acteurs de recherche en spintronique au niveau mondial. SPINTEC a été créé en 2002 et s'est rapidement développé pour atteindre aujourd'hui 120 personnes, dont 54 permanents du CEA, du CNRS et de l'Université Grenoble-Alpes. Le laboratoire a pour objectif de créer un pont entre la recherche fondamentale et les applications en électronique de spin. Au sein du Groupe Dispositifs de SPINTEC, les équipes MRAM et Capteurs Magnétiques développent des dispositifs innovants dans le cadre de partenariats structurants académiques nationaux et internationaux. Le démarrage récent de la ligne pilote spintronique académique SPINfab offre désormais un accès à des ressources technologiques préindustrielles, facilitant le développement de dispositifs à base de jonctions tunnel magnétiques ainsi que la consolidation de collaborations à long terme. L'équipe « MRAM » a récemment démontré que les phénomènes étudiés pour les applications MRAM, tels que les couples de transfert de spin et de spin-orbite, peuvent être exploités pour des capteurs magnétiques. De plus, l'utilisation de couches à anisotropie magnétique perpendiculaire, peu explorée pour les capteurs, ouvre de nouvelles fonctionnalités et des synergiques entre les technologies MRAM et capteurs magnétiques. En parallèle, Spintec s'est spécialisé dans le développement de capteurs très sensibles, en combinant des empilements magnétiques à l'état de l'art avec des approches innovantes afin d'abaisser encore leurs limites de détection. Nous recherchons Ingénieur.e-chercheur.euse en spintronique applications MRAM et capteurs pour soutenir l'activité jonctions tunnel magnétiques. Vous serez en charge de diriger des activités de recherche de pointe et innovantes dans les domaines des capteurs magnétiques et des mémoires magnétiques, et développer des partenariats et des collaborations aux niveaux français et européen. Vous - bénéficierez d'une activité déjà bien développée avec un parc expérimental existant, incluant plusieurs installations de dépôt de matériaux, salles blanches, et équipements de caractérisation avancés. - développerez et renforcerez des collaborations internes avec d'autres équipes du laboratoire, notamment en conception, théorie, et avec d'autres équipes expérimentales. - bénéficierez d'un large réseau de collaborations existantes au niveau national et international, incluant des partenariats tels que les PEPR Electronique et SPIN. - contribuerez à la réalisation de programmes de recherche avec des partenaires industriels déjà en cours, en supervisant les recherches menées en collaboration avec les partenaires. - préparerez l'évolution et la diversification des collaborations en menant des recherches indépendantes et en mobilisant les soutiens nécessaires au sein des équipes du laboratoire. PROFIL : Avec déjà une solide expérience dans le domaine de la spintronique, vous devez être titulaire d'un doctorat et avoir une expérience de recherche en développement de jonctions tunnel magnétiques pour des capteurs magnétiques et MRAM, incluant la conception, l'optimisation des empilements, la caractérisation et mesure expérimentales pour l'extraction des performances des dispositifs fabriqués. Vous devez également avoir une expérience de recherche dans un ou plusieurs des domaines suivants : - développement de nouveaux matériaux magnétiques ou nouveaux concepts pour des applications spintroniques, éventuellement en lien avec la conception d'instrumentation scientifique en électronique analogique ou numérique pour des mesures spécifiques. - expérience en environnement industriel ou connaissance des besoins industriels et contraintes de la recherche en partenariat académique-industriel, notamment dans le domaine des MRAM et/ou des capteurs magnétiques. - modélisation et simulation du comportement dynamique de commutation de cellules MRAM par des couples de transfert de spin ou spin-orbite, ou du comportement quasi-statique sous champ magnétique pour des capteurs, en prenant en compte des interactions magnétostatiques ou d'éléments proches. - supervision et encadrement d'étudiants et de chercheurs à partir du niveau Master - montage et participation à des projets de recherche et publication de travaux dans des revues scientifiques. Pourquoi nous rejoindre ? En rejoignant l'IRIG, vous intégrez un environnement de recherche dynamique et innovant où vous avez l'opportunité d'apprendre, de grandir et de jouer un rôle clé au sein d'une entité/unité d'excellence. Dans u