Description du labo/équipe : Vous intégrerez une équipe pluridisciplinaire de recherche composée dunetrentaine dexperts collaborant avec des partenaires industriels de premier plan. Focalisée sur le développement de caractérisations électriques innovantes pour la microélectronique, cette équipe couvre lensemble des champs de la caractérisation électrique pour la microélectronique depuis les tests paramétriques jusquau caractérisations et modélisations électriques les plus avancées dans les domaines divers de lélectronique digitale, lélectronique de puissance, les mémoires, les empilements 3D et les microsystèmes. Vos missions : Votre mission consistera à mettre en œuvre des caractérisations électriques de spectroscopie de pièges (DLOS, DLTS, admittance) sur les matériaux et dispositifs à grand gap. Elle se situe dans le cadre élargie de collaborations récentes avec des laboratoires universitaires, et fait suite à des premiers travaux qui ont permis de développer une même architecture de test sur différents sites. Ce travail de post doc devra dans un premier temps permettre la finalisation des bancs de mesure développés pour ces caractérisations DLTS et DLOS en sassurant de leur maitrise (contrôle en température, transitoires de capacité, spectroscopie lumineuse, ...). Outre la maitrise de la mesure, l'interprétation des résultats requiert une bonne connaissance de létat de lart et un temps suffisant sera dédié à son approfondissement. Les études qui seront ensuite menées dans ce cadre se feront sur plusieurs matériaux à grand gapen commençant par le SiC. Ce sujet se prête largement à la valorisation des résultats par publication. En parallèle de cette technique, le cadre collaboratif pourra initier une thèse sur la même perspective d'analyse de défauts et le post doc pourra participer à l'encadrement de ces recherches. Voici quelques publications récentes : (1) D.V. Lang, Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors, J. Appl. Phys. 45 (7) 3023, 1974. (2) I. Caplan et al, Majority and minority charge carrier traps in n-type 4H-SiC studied by junction spectroscopy techniques, electron. Mater., 3(1) 115, 2022. (3) A. Armstrong et al, Deep level optical spectroscopy of GaN nanorods, J. Appl. Phys.106, 053712, 2009. Et un aperçu de nos travaux dans ce domaine : E. Vandermolen, C. Leroux, A. Abbas, P. Godignon, C. Le Royer, J. Biscarrat, F. Ducroquet, DLTS Investigation of Implantation-induced Defects in 4H-SiC Power Diodes Oral presentation at Wocsdice-Exmatec 19-23 may 2024, Heraklion (crete), session SiC devices.